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浏览/检索结果: 共107条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 892-898 作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie   |  收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2019/11/10 Single-event multiple-cell upsets (MCUs)  static random access memory  total ionizing dose (TID)   Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ];  Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ];  Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ]   |  收藏  |  浏览/下载：115/0  |  提交时间：2019/05/14 Back-gate biasing  forward body bias (FBB)  total ionizing dose (TID)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator (UTBB FD-SOI)   一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利  OAI收割 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2020-10-09 作者:  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  孙静;  余学峰   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/08/06 Bias Dependence of Radiation-Induced Narrow-Width Channel Effects in 65 nm NMOSFETs 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 35, 期号: 4, 页码: 1-4 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen);  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei);  Wei, Y (Wei, Ying);  Yu, XF (Yu, Xue-Feng);  Lu, W (Lu, Wu)   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/05/07 Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 691-697 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen);  Cui, JW (Cui, Jiangwei);  Yu, XF (Yu, Xuefeng);  Lu, W (Lu, Wu);  He, CF (He, Chengfa)   |  收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2018/05/15 Static Noise Margin (Snm)  Static Random Access Memory (Sram)  Total Ionizing Dose (Tid)   总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249 作者:  周航;  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  郭旗;  任迪远;  余德昭;  苏丹丹;  郭旗;  余学峰 收藏  |  浏览/下载：123/0  |  提交时间：2016/06/02 绝缘体上硅  电离辐射  热载流子   星用双极器件及模拟电路的低剂量率辐射损伤增强效应研究 成果  OAI收割 新疆维吾尔自治区科学技术进步奖: 一等奖, 2015 主要完成人:  陆妩、任迪远、郭旗、余学峰、何承发、文林、孙静、李豫东、崔江维、吕小龙、胡江生、王嘉;  陆妩;  郭旗;  余学峰;  何承发 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2017/08/08 电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 250-256 作者:  周航;  崔江维;  郑齐文;  郭旗;  任迪远 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2015/06/26 可靠性  绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管  总剂量效应  电应力   质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响 期刊论文  OAI收割 红外与激光工程, 2015, 卷号: 44, 期号: S1, 页码: 35-40 作者:  汪波;  文林;  李豫东;  郭旗;  汪朝敏;  王帆;  任迪远;  曾骏哲;  武大猷;  郭旗;  李豫东;  文林 收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2016/06/02 电荷耦合器件  高能粒子辐照  饱和输出电压  电离总剂量效应   深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 666-669 作者:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅;  郭旗;  李豫东;  文林 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2016/06/07 深亚微米  NMOSFET  总剂量效应  窄沟效应