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	生长氮化镓晶体的方法专利 OAI收割专利号: CN101086963B, 申请日期: 2010-04-21, 公开日期: 2010-04-21 作者: 冈久拓司; 元木健作; 上松康二; 中畑成二; 弘田龙 \| 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2019/12/26
	氮化物半导体基板及其制造方法专利 OAI收割专利号: CN1877877A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13 作者: 上松康二; 佐藤史隆; 弘田龙; 中畑成二; 中幡英章 \| 收藏 \| 浏览/下载：7/0 \| 提交时间：2020/01/18
	近接場光発生素子及び光ヘッド专利 OAI收割专利号: JP2000223767A, 申请日期: 2000-08-11, 公开日期: 2000-08-11 作者: 中野隆志; 富永淳二; 阿刀田伸史; 佐藤彰; 波多野卓史 \| 收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2019/12/31