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GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
作者:
孙钱
;
冯美鑫
;
周宇
;
杨辉
;
池田昌夫
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提交时间:2019/12/26
GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
作者:
孙钱
;
冯美鑫
;
周宇
;
杨辉
;
池田昌夫
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2019/12/26
一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN108718030A, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2018-10-30
作者:
孙钱
;
冯美鑫
;
周宇
;
高宏伟
;
杨辉
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提交时间:2019/12/31
氮化物半导体发光器件及其制作方法
专利
OAI收割
专利号: CN108305918A, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2018-07-20
作者:
孙钱
;
冯美鑫
;
周宇
;
高宏伟
;
杨辉
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提交时间:2019/12/30
半导体激光二极管及其封装方法
专利
OAI收割
申请日期: 2018-07-06,
作者:
周坤,李德尧,张书明,刘建平,张立群,冯美鑫,李增成,王怀兵,杨辉
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提交时间:2019/04/01
Thermal analysis of GaN-based laser diode mini-array
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2018
作者:
Li, De-Yao(李德尧)
;
Hu, Jun-Jie(胡俊杰)
;
Yang, Hui(杨辉)
;
Zhang, Li-Qun(张立群)
;
Liu, Jian-Ping(刘建平)
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提交时间:2019/03/27
Suppression of unintentional carbon incorporation in AlGaN-based near-ultraviolet light-emitting diode grown on Si
期刊论文
OAI收割
Journal of Nanophotonics, 2018
作者:
Liu, Legong
;
Feng, Meixin(冯美鑫)
;
Liu, Jianxun
;
Sun, Qian(孙钱)
;
Sun, Xiujian(孙秀建)
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提交时间:2019/03/27
Room-temperature electrically pumped InGaN-based microdisk laser grown on Si
期刊论文
OAI收割
OPTICS EXPRESS, 2018
作者:
Zhou, Yu(周宇)
;
Liu, Jianping(刘建平)
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提交时间:2019/03/27
Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si
期刊论文
OAI收割
LIGHT-SCIENCE & APPLICATIONS, 2018
作者:
Li, Zengcheng(李增成)
;
Li, Deyao(李德尧)
;
Zhang, Shuming(张书明)
;
Yang, Hui(杨辉)
;
Ikeda, Masao
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提交时间:2019/03/27
On-wafer fabrication of cavity mirrors for InGaN-based laser diode grown on Si
期刊论文
OAI收割
SCIENTIFIC REPORTS, 2018
作者:
He, Junlei(何俊蕾)
;
Feng, Meixin(冯美鑫)
;
Zhong, Yaozong
;
Wang, Jin(王锦)
;
Zhou, Rui
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提交时间:2019/03/27