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III族窒化物半導体およびpn接合ダイオードの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997260290A, 申请日期: 1997-10-03, 公开日期: 1997-10-03
作者:  
松山 秀昭;  松井 俊之;  鈴木 健;  北村 祥司;  上條 洋
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光モジュール 专利  OAI收割
专利号: JP1996194138A, 申请日期: 1996-07-30, 公开日期: 1996-07-30
作者:  
北村 祥司
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半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1994350188A, 申请日期: 1994-12-22, 公开日期: 1994-12-22
作者:  
松原 邦雄;  北村 祥司;  進藤 洋一
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1993145173A, 申请日期: 1993-06-11, 公开日期: 1993-06-11
作者:  
北村 祥司
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13