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• 西安光学精密机械研究... [8]

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• 专利 [8]

发表日期

• 2006 [1]
• 2004 [1]
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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 具有氮化物系异质结构的器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1282257C, 申请日期: 2006-10-25, 公开日期: 2006-10-25 作者:  吉川明彦;  徐科   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 面発光半導体レーザ及びそれを用いたレーザシステム 专利  OAI收割 专利号: JP3572151B2, 申请日期: 2004-07-02, 公开日期: 2004-09-29 作者:  吉川 明彦;  小林 正和;  水井 順一;  山越 英男   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 窒化ガリウム結晶を有する積層体およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000269605A, 申请日期: 2000-09-29, 公开日期: 2000-09-29 作者:  吉川 明彦;  小林 正和   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 II-VI族化合物半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999238914A, 申请日期: 1999-08-31, 公开日期: 1999-08-31 作者:  吉川 明彦;  小林 正和   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998256668A, 申请日期: 1998-09-25, 公开日期: 1998-09-25 作者:  吉川 明彦;  小林 正和;  長沢 泰之;  水井 順一;  山越 英男   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 発光素子用電極 专利  OAI收割 专利号: JP1998079556A, 申请日期: 1998-03-24, 公开日期: 1998-03-24 作者:  吉川 明彦;  小林 正和;  長沢 泰之;  水井 順一;  山越 英男   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 発光素子用電極 专利  OAI收割 专利号: JP1998070309A, 申请日期: 1998-03-10, 公开日期: 1998-03-10 作者:  吉川 明彦;  小林 正和;  長沢 泰之;  山越 英男;  水井 順一   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/01/18 光纤耦合器的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1067513A, 申请日期: 1992-12-30, 公开日期: 1992-12-30 作者:  笹冈英资;  吉川顺一;  滝本弘明;  菅沼宽;  横田弘   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/30