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発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP4093943B2, 申请日期: 2008-03-14, 公开日期: 2008-06-04
作者:  
畑 雅幸;  廣山 良治;  國里 竜也;  蔵本 慶一;  平野 均
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半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP3268958B2, 申请日期: 2002-01-18, 公开日期: 2002-03-25
作者:  
松本 光晴;  林 伸彦;  後藤 壮謙;  國里 竜也;  茨木 晃
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999274560A, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-10-08
作者:  
國里 竜也;  野村 康彦;  冨永 浩司;  畑 雅幸
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ウエハとそれを用いた発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1997232630A, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-09-05
作者:  
松下 保彦;  上田 康博;  國里 竜也;  狩野 隆司
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