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半導体能動素子 专利  OAI收割
专利号: JP3154828B2, 申请日期: 2001-02-02, 公开日期: 2001-04-09
作者:  
村上 清一;  土屋 富志夫;  永井 治男
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/26
単一モード半導体レーザ及び単一モード半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1998284796A, 申请日期: 1998-10-23, 公开日期: 1998-10-23
作者:  
森 浩;  土屋 富志夫
  |  收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レ-ザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1996010780B2, 申请日期: 1996-01-31, 公开日期: 1996-01-31
作者:  
花光 幸和;  土屋 富志夫;  山口 茂実;  浅井 昭彦;  牧田 克男
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レ-ザ 专利  OAI收割
专利号: JP1996010779B2, 申请日期: 1996-01-31, 公开日期: 1996-01-31
作者:  
牧田 克男;  花光 幸和;  土屋 富志夫;  山口 茂実;  浅井 昭彦
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1994097601A, 申请日期: 1994-04-08, 公开日期: 1994-04-08
作者:  
亀田 俊弘;  森 浩;  土屋 富志夫;  永井 治男
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13