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半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP2806533B2, 申请日期: 1998-07-24, 公开日期: 1998-09-30
作者:  坂根 千登勢;  瀧口 治久;  工藤 裕章;  菅原 聰
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2554192B2, 申请日期: 1996-08-22, 公开日期: 1996-11-13
作者:  瀧口 治久;  中津 弘志;  猪口 和彦;  厚主 文弘;  坂根 千登勢
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1996213697A, 申请日期: 1996-08-20, 公开日期: 1996-08-20
作者:  坂根 千登勢;  瀧口 治久;  工藤 裕章;  菅原 聰
  |  收藏  |  浏览/下载：122/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2547459B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23
作者:  滝口 治久;  猪口 和彦;  厚主 文弘;  奥村 敏之;  坂根 千登勢
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13