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用于改良在非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上生长的(Ga,Al,In,B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构 专利  OAI收割
专利号: CN102473799A, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2012-05-23
作者:  罗伯特·M·法雷尔;  马修·T·哈迪;  太田裕朗;  斯蒂芬·P·登巴尔斯;  詹姆斯·S·斯佩克
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光学素子及び発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP2008305969A, 申请日期: 2008-12-18, 公开日期: 2008-12-18
作者:  岡本 國美;  太田 裕朗;  小比賀 晃;  中川 聡
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半導體雷射 专利  OAI收割
专利号: TW200845524A, 申请日期: 2008-11-16, 公开日期: 2008-11-16
作者:  岡本國美;  太田裕朗
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半導体レーザダイオード 专利  OAI收割
专利号: JP2008226865A, 申请日期: 2008-09-25, 公开日期: 2008-09-25
作者:  岡本 國美;  太田 裕朗
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