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	SRAM和FRAM器件单粒子与总剂量的协同效应研究学位论文 OAI收割中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019 作者: 姬庆刚 \| 收藏 \| 浏览/下载：69/0 \| 提交时间：2019/11/21
	Effects of total ionizing dose on single event effect sensitivity of FRAMs 期刊论文 OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 95, 页码: 1-7 作者: Ji, Qinggang; Liu, Jie; Li, Dongqing; Liu, Tianqi; Ye, Bing \| 收藏 \| 浏览/下载：56/0 \| 提交时间：2019/11/10 Ferroelectric random access memory Total ionizing dose Single event effect TCAD simulation
	电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响期刊论文 OAI收割原子核物理评论, 2019, 期号: 03, 页码: 367-372 作者: 姬庆刚; 刘杰; 李东青; 刘天奇; 叶兵 \| 收藏 \| 浏览/下载：42/0 \| 提交时间：2019/11/21
	电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响期刊论文 OAI收割原子核物理评论, 2019, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 367-372 作者: 姬庆刚; 刘杰; 李东青; 刘天奇; 叶兵 \| 收藏 \| 浏览/下载：31/0 \| 提交时间：2019/11/18 单粒子翻转总剂量效应协同效应静态随机存储器
	重离子辐照带有ECC的65nm SRAM器件“伪多位翻转”特性研究期刊论文 OAI收割原子核物理评论, 2018, 卷号: 35, 页码: 66-71 作者: 刘天奇; 习凯; 侯明东; 叶兵; 姬庆刚 \| 收藏 \| 浏览/下载：31/0 \| 提交时间：2018/10/08