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微电子研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2016 [3]
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应用于超低电压下的SRAM 存储单元设计
期刊论文
OAI收割
微电子学与计算机, 2016
作者:
存储器研发中心
;
黑勇
;
蔡江铮
;
刘冰燕
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提交时间:2017/04/14
Investigation of tunneling layer and inter-gate-dielectric engineered TaN floating gate memory
期刊论文
OAI收割
Integrated Ferroelectrics, 2016
作者:
存储器研发中心
;
Huo ZL(霍宗亮)
;
Fu LY(付丽银)
;
Jin L(靳磊)
;
Jiang DD(姜丹丹)
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2017/04/14
A Low Voltage SRAM Sense Amplifier with Offset Cancelling Using Digitized Multiple Body
期刊论文
OAI收割
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 2016
作者:
存储器研发中心
;
Hei Y(黑勇)
;
Yuan J(袁甲)
;
Cai JZ(蔡江铮)
;
Liu BY(刘冰燕)
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提交时间:2017/04/14