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面発光半導体レーザ及びそれを用いたレーザシステム 专利  OAI收割
专利号: JP3572151B2, 申请日期: 2004-07-02, 公开日期: 2004-09-29
作者:  吉川 明彦;  小林 正和;  水井 順一;  山越 英男
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26
窒化ガリウム結晶を有する積層体およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000269605A, 申请日期: 2000-09-29, 公开日期: 2000-09-29
作者:  吉川 明彦;  小林 正和
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31
II-VI族化合物半導体素子 专利  OAI收割
专利号: JP1999238914A, 申请日期: 1999-08-31, 公开日期: 1999-08-31
作者:  吉川 明彦;  小林 正和
  |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998256668A, 申请日期: 1998-09-25, 公开日期: 1998-09-25
作者:  吉川 明彦;  小林 正和;  長沢 泰之;  水井 順一;  山越 英男
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13
発光素子用電極 专利  OAI收割
专利号: JP1998079556A, 申请日期: 1998-03-24, 公开日期: 1998-03-24
作者:  吉川 明彦;  小林 正和;  長沢 泰之;  水井 順一;  山越 英男
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31
発光素子用電極 专利  OAI收割
专利号: JP1998070309A, 申请日期: 1998-03-10, 公开日期: 1998-03-10
作者:  吉川 明彦;  小林 正和;  長沢 泰之;  山越 英男
  |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/01/18