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西安光学精密机械研究... [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
专利 [5]
发表日期
2009 [1]
2007 [1]
2000 [2]
1999 [1]
学科主题
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共5条,第1-5条
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半導体発光素子の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2009200382A, 申请日期: 2009-09-03, 公开日期: 2009-09-03
作者:
奥 保成
;
小林 祐二
;
福田 康彦
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提交时间:2020/01/18
発光モジュール
专利
OAI收割
专利号: JP2007067314A, 申请日期: 2007-03-15, 公开日期: 2007-03-15
作者:
小林 賢二
;
西澤 寿樹
;
三橋 祐司
;
内田 敏昭
;
海老澤 文博
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提交时间:2020/01/13
半導体発光素子における電極の形成方法
专利
OAI收割
专利号: JP2000208816A, 申请日期: 2000-07-28, 公开日期: 2000-07-28
作者:
野添 誠
;
小林 祐二
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提交时间:2019/12/31
半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP2000012898A, 申请日期: 2000-01-14, 公开日期: 2000-01-14
作者:
小林 祐二
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提交时间:2020/01/13
窒化ガリウム系化合物半導体素子
专利
OAI收割
专利号: JP1999186604A, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-07-09
作者:
小林 祐二
;
福田 康彦
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提交时间:2020/01/13