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	半导体衬底及在半导体衬底上通过外延生长制造的半导体器件专利 OAI收割专利号: CN100449800C, 申请日期: 2009-01-07, 公开日期: 2009-01-07 作者: 橘浩一; 本乡智惠; 布上真也; 小野村正明 \| 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2019/12/26
	半导体激光元件专利 OAI收割专利号: CN100380696C, 申请日期: 2008-04-09, 公开日期: 2008-04-09 作者: 田中明; 小野村正明 \| 收藏 \| 浏览/下载：6/0 \| 提交时间：2020/01/18
	氮化物半导体发光器件及其制造方法专利 OAI收割专利号: CN1949606A, 申请日期: 2007-04-18, 公开日期: 2007-04-18 作者: 松山隆之; 小野村正明 \| 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2020/01/18