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机构
西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2010 [2]
2008 [1]
2007 [2]
2005 [1]
2002 [2]
2001 [1]
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半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP2010098238A, 申请日期: 2010-04-30, 公开日期: 2010-04-30
作者:
左文字 克哉
;
小野澤 和利
;
春日井 秀紀
;
梶谷 亮
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2010003746A, 申请日期: 2010-01-07, 公开日期: 2010-01-07
作者:
小野澤 和利
;
川口 真生
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提交时间:2020/01/18
半導体装置の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP4197420B2, 申请日期: 2008-10-10, 公开日期: 2008-12-17
作者:
小野澤 和利
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提交时间:2019/12/23
半導体レーザ装置及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP4057861B2, 申请日期: 2007-12-21, 公开日期: 2008-03-05
作者:
小野澤 和利
;
上田 哲三
;
上田 大助
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提交时间:2019/12/23
多波長レーザモジュールおよびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2007109357A, 申请日期: 2007-04-26, 公开日期: 2007-04-26
作者:
東條 友昭
;
井上 謙一
;
小野澤 和利
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提交时间:2019/12/31
多波長レーザモジュール及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2005283737A, 申请日期: 2005-10-13, 公开日期: 2005-10-13
作者:
井上 謙一
;
シング ビラハムパル
;
山中 一彦
;
小野澤 和利
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提交时间:2019/12/31
光ピックアップ
专利
OAI收割
专利号: JP2002197707A, 申请日期: 2002-07-12, 公开日期: 2002-07-12
作者:
小野澤 和利
;
井島 新一
;
今藤 修
;
油利 正昭
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提交时间:2020/01/13
受発光ユニットおよびそれを用いた光ピックアップ
专利
OAI收割
专利号: JP2002056557A, 申请日期: 2002-02-22, 公开日期: 2002-02-22
作者:
山中 一彦
;
井島 新一
;
小野澤 和利
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提交时间:2019/12/31
光学素子およびそれを用いた光学装置
专利
OAI收割
专利号: JP2001330718A, 申请日期: 2001-11-30, 公开日期: 2001-11-30
作者:
山中 一彦
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提交时间:2019/12/31