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半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP3251615B2, 申请日期: 2001-11-16, 公开日期: 2002-01-28
作者:  
平山 雄三;  小野村 正明;  森永 素安;  鈴木 信夫;  定政 哲雄
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3192687B2, 申请日期: 2001-05-25, 公开日期: 2001-07-30
作者:  
小野村 正明;  平山 雄三;  定政 哲雄
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半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP2671317B2, 申请日期: 1997-07-11, 公开日期: 1997-10-29
作者:  
北村 光弘;  小野 雄三;  小林 功郎
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光半導体素子 专利  OAI收割
专利号: JP1993029716A, 申请日期: 1993-02-05, 公开日期: 1993-02-05
作者:  
鈴木 信夫;  平山 雄三;  小野村 正明
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