中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共3条,第1-3条 帮助

条数/页: 排序方式:
3族窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP3717255B2, 申请日期: 2005-09-09, 公开日期: 2005-11-16
作者:  
永井 誠二;  山崎 史郎;  小池 正好;  冨田 一義;  加地 徹
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/26
記録レーザパワーのキャリブレーション方法 专利  OAI收割
专利号: JP3159454B2, 申请日期: 2001-02-16, 公开日期: 2001-04-23
作者:  
河野 睦;  山崎 誠一
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/23
半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998135514A, 申请日期: 1998-05-22, 公开日期: 1998-05-22
作者:  
小出 典克;  浅見 慎也;  梅崎 潤一;  小池 正好;  山崎 史郎
  |  收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2020/01/13