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机构
西安光学精密机械研究... [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
专利 [3]
发表日期
2005 [1]
2001 [1]
1998 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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3族窒化物半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP3717255B2, 申请日期: 2005-09-09, 公开日期: 2005-11-16
作者:
永井 誠二
;
山崎 史郎
;
小池 正好
;
冨田 一義
;
加地 徹
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提交时间:2019/12/26
記録レーザパワーのキャリブレーション方法
专利
OAI收割
专利号: JP3159454B2, 申请日期: 2001-02-16, 公开日期: 2001-04-23
作者:
河野 睦
;
山崎 誠一
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/23
半導体発光素子及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1998135514A, 申请日期: 1998-05-22, 公开日期: 1998-05-22
作者:
小出 典克
;
浅見 慎也
;
梅崎 潤一
;
小池 正好
;
山崎 史郎
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提交时间:2020/01/13