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III族窒化物レーザーダイオードおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000261099A, 申请日期: 2000-09-22, 公开日期: 2000-09-22
作者:  国原 健二;  松原 邦雄;  新村 康;  進藤 洋一
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31
III族窒化物レーザーダイオードおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000261102A, 申请日期: 2000-09-22, 公开日期: 2000-09-22
作者:  国原 健二;  松原 邦雄;  新村 康;  進藤 洋一
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13
III族窒化物半導体装置およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000261103A, 申请日期: 2000-09-22, 公开日期: 2000-09-22
作者:  新村 康;  国原 健二
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/30
III族窒化物半導体およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999330546A, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30
作者:  新村 康
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18