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半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994021565A, 申请日期: 1994-01-28, 公开日期: 1994-01-28
作者:  
有元 洋志
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1993251822A, 申请日期: 1993-09-28, 公开日期: 1993-09-28
作者:  
有元 洋志;  坪田 孝志
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1993206569A, 申请日期: 1993-08-13, 公开日期: 1993-08-13
作者:  
有元 洋志;  鹿島 保昌
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/13
発振波長温度無依存型半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1996250800A, 公开日期: 1996-09-27
作者:  
有元 洋志
  |  收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2019/12/26