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光半导体装置、其制造方法以及光模块的制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN104577710A, 申请日期: 2015-04-29, 公开日期: 2015-04-29
作者:  东祐介;  石村荣太郎;  柴田公隆
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光调制器的制造方法以及光调制器 专利  OAI收割
专利号: CN103682978A, 申请日期: 2014-03-26, 公开日期: 2014-03-26
作者:  柴田公隆
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18
活性層吸収型パルセーション半導体レーザダイオードとその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998256652A, 申请日期: 1998-09-25, 公开日期: 1998-09-25
作者:  藤原 正敏;  門脇 朋子;  柴田 公隆
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分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998223967A, 申请日期: 1998-08-21, 公开日期: 1998-08-21
作者:  柴田 公隆;  西村 隆司;  鴫原 君男;  渡辺 斉
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/18
多電極半導体レーザアレイ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1996288595A, 申请日期: 1996-11-01, 公开日期: 1996-11-01
作者:  柴田 公隆
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