中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研究... [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
专利 [5]
发表日期
2000 [1]
1994 [3]
1993 [1]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP3143248B2, 申请日期: 2000-12-22, 公开日期: 2001-03-07
作者:
別所 靖之
;
井上 泰明
;
水口 公秀
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2020/01/13
半導体レ-ザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP1994042355Y2, 申请日期: 1994-11-02, 公开日期: 1994-11-02
作者:
井上 泰明
;
水口 公秀
;
田渕 規夫
;
森 和思
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/12/23
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP1994077604A, 申请日期: 1994-03-18, 公开日期: 1994-03-18
作者:
井上 泰明
;
水口 公秀
;
別所 靖之
;
吉年 慶一
;
山口 隆夫
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP1994045703A, 申请日期: 1994-02-18, 公开日期: 1994-02-18
作者:
野一色 慶夫
;
米山 裕文
;
水口 公秀
;
別所 靖之
;
吉年 慶一
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1993283799A, 申请日期: 1993-10-29, 公开日期: 1993-10-29
作者:
別所 靖之
;
井上 泰明
;
水口 公秀
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2020/01/13