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半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP2002353552A, 申请日期: 2002-12-06, 公开日期: 2002-12-06
作者:  
尾崎 孝;  永嶋 憲二
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/13
光半導体集積装置およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2002237073A, 申请日期: 2002-08-23, 公开日期: 2002-08-23
作者:  
山内 淨;  佐藤 慶二;  田中 清嗣;  永嶋 憲二
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP3186684B2, 申请日期: 2001-05-11, 公开日期: 2001-07-11
作者:  
藤巻 義継;  永嶋 憲二;  横山 盛人;  坪井 邦夫;  今井 敏博
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13
グレーティング付レーザーダイオード 专利  OAI收割
专利号: JP1993304343A, 申请日期: 1993-11-16, 公开日期: 1993-11-16
作者:  
遊馬 嘉人;  永嶋 憲二
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/31