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机构
西安光学精密机械研究... [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
专利 [4]
发表日期
2002 [2]
2001 [1]
1993 [1]
学科主题
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共4条,第1-4条
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半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2002353552A, 申请日期: 2002-12-06, 公开日期: 2002-12-06
作者:
尾崎 孝
;
永嶋 憲二
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提交时间:2020/01/13
光半導体集積装置およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2002237073A, 申请日期: 2002-08-23, 公开日期: 2002-08-23
作者:
山内 淨
;
佐藤 慶二
;
田中 清嗣
;
永嶋 憲二
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP3186684B2, 申请日期: 2001-05-11, 公开日期: 2001-07-11
作者:
藤巻 義継
;
永嶋 憲二
;
横山 盛人
;
坪井 邦夫
;
今井 敏博
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提交时间:2020/01/13
グレーティング付レーザーダイオード
专利
OAI收割
专利号: JP1993304343A, 申请日期: 1993-11-16, 公开日期: 1993-11-16
作者:
遊馬 嘉人
;
永嶋 憲二
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提交时间:2019/12/31