机构

• 西安光学精密机械研究... [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 专利 [5]

发表日期

• 1999 [1]
• 1996 [1]
• 1994 [2]
• 1993 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体受発光装置及びその組立方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999346030A, 申请日期: 1999-12-14, 公开日期: 1999-12-14 作者:  嶋岡 誠;  中村 均;  芹沢 弘二;  松原 茂;  金谷 達憲   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/30 チップ部品載置用電極 专利  OAI收割 专利号: JP2529397B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-08-28 作者:  東井 虎士;  沢 和弘;  松田 俊夫   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/23 導波路型第二高調波発生素子とその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994230443A, 申请日期: 1994-08-19, 公开日期: 1994-08-19 作者:  楓 弘志;  川本 和民;  伊藤 顕知;  黒沢 久夫;  佐藤 正純   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 導波路型第2高調波発生素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994160927A, 申请日期: 1994-06-07, 公开日期: 1994-06-07 作者:  楓 弘志;  伊藤 顕知;  川本 和民;  立野 公男;  黒沢 久夫   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1993279193A, 申请日期: 1993-10-26, 公开日期: 1993-10-26 作者:  楓 弘志;  伊藤 顕知;  川本 和民;  黒沢 久夫;  伊藤 康平   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31