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机构
西安光学精密机械研究... [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
专利 [4]
发表日期
2006 [1]
2000 [1]
1995 [1]
学科主题
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共4条,第1-4条
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窒化物半導体発光素子及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP3758390B2, 申请日期: 2006-01-13, 公开日期: 2006-03-22
作者:
太田 啓之
;
渡辺 温
;
田中 利之
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提交时间:2019/12/26
窒化物半導体レーザ及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2000323797A, 申请日期: 2000-11-24, 公开日期: 2000-11-24
作者:
竹間 清文
;
太田 啓之
;
田中 利之
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提交时间:2020/01/13
III族窒化物発光素子の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1995273366A, 申请日期: 1995-10-20, 公开日期: 1995-10-20
作者:
天野 浩
;
赤崎 勇
;
田中 利之
;
當摩 照夫
;
真部 勝英
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提交时间:2020/01/18
リッジ導波路型半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2004335530A, 公开日期: 2004-11-25
作者:
三橋 豊
;
瀧口 透
;
田中 利夫
;
門脇 朋子
;
花巻 吉彦
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提交时间:2019/12/26