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窒化物半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3758390B2, 申请日期: 2006-01-13, 公开日期: 2006-03-22
作者:  
太田 啓之;  渡辺 温;  田中 利之
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窒化物半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000323797A, 申请日期: 2000-11-24, 公开日期: 2000-11-24
作者:  
竹間 清文;  太田 啓之;  田中 利之
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2020/01/13
III族窒化物発光素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995273366A, 申请日期: 1995-10-20, 公开日期: 1995-10-20
作者:  
天野 浩;  赤崎 勇;  田中 利之;  當摩 照夫;  真部 勝英
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18
リッジ導波路型半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP2004335530A, 公开日期: 2004-11-25
作者:  
三橋 豊;  瀧口 透;  田中 利夫;  門脇 朋子;  花巻 吉彦
  |  收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/12/26