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光照射装置、光照射システム、画像形成装置 专利  OAI收割
专利号: JP2018176646A, 申请日期: 2018-11-15, 公开日期: 2018-11-15
作者:  
村田 道昭;  坂本 朗;  北村 篤行;  津国 弘之;  三原 顕
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窒化物半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP2009302456A, 申请日期: 2009-12-24, 公开日期: 2009-12-24
作者:  
田村 聡之
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体レーザ装置及びその製造方法、光ピックアップ装置 专利  OAI收割
专利号: JP2006032925A, 申请日期: 2006-02-02, 公开日期: 2006-02-02
作者:  
田村 聡之;  池戸 教夫
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/31
窒化物半導体ウェハの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2002222773A, 申请日期: 2002-08-09, 公开日期: 2002-08-09
作者:  
田村 聡之;  小川 雅弘;  石田 昌宏
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/31