机构

• 半导体研究所 [4]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 专利 [5]

发表日期

• 2013 [1]

学科主题

• 半导体材料 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 一种用于产生励磁电流的扫描电源 专利  OAI收割 专利号: CN202840971U, 申请日期: 2013-03-27, 公开日期: 2013-03-27 作者:  陈又新;  周忠祖;  燕宏斌;  张显来;  高大庆   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/12/27 用于碳化硅生长的高温装置及方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 刘兴昉; 刘斌; 闫果果; 刘胜北; 田丽欣; 申占伟; 王雷; 赵万顺; 张峰; 孙国胜; 曾一平 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/09/28 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2016/09/29 在SiC材料中获取二维电子气的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22 申占伟; 张峰; 赵万顺; 王雷; 闫果果; 刘兴昉; 孙国胜; 曾一平 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/09/22 SiC基HEMT器件的制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22 申占伟; 张峰; 赵万顺; 王雷; 闫果果; 刘兴昉; 孙国胜; 曾一平 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/09/22