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半導体レーザの製法 专利  OAI收割
专利号: JP4917704B2, 申请日期: 2012-02-03, 公开日期: 2012-04-18
作者:  
石田 ▲祐▼士;  上林 秀史
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/23
投受光ユニットおよびそれを用いた光ピックアップ 专利  OAI收割
专利号: JP1998040571A, 申请日期: 1998-02-13, 公开日期: 1998-02-13
作者:  
中田 直太郎;  石田 ▲祐▼士;  青木 直史
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1996264906A, 申请日期: 1996-10-11, 公开日期: 1996-10-11
作者:  
田中 治夫;  中田 直太郎
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995263800A, 申请日期: 1995-10-13, 公开日期: 1995-10-13
作者:  
田中 治夫;  中田 直太郎;  虫上 雅人;  石田 ▲祐▼士;  深田 速水
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レ-ザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994009274B2, 申请日期: 1994-02-02, 公开日期: 1994-02-02
作者:  
尺田 幸男;  田中 治夫;  虫上 雅人;  楠 薫;  井川 克彦
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/18