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西安光学精密机械研究... [6]
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窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置
专利
OAI收割
专利号: JP4854133B2, 申请日期: 2011-11-04, 公开日期: 2012-01-18
作者:
津田 有三
;
伊藤 茂稔
;
石田 真也
;
花岡 大介
;
神川 剛
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提交时间:2019/12/23
キャップ部材およびそれを用いた半導体装置
专利
OAI收割
专利号: JP2009176764A, 申请日期: 2009-08-06, 公开日期: 2009-08-06
作者:
石田 真也
;
花岡 大介
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提交时间:2019/12/30
面状発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP2008258171A, 申请日期: 2008-10-23, 公开日期: 2008-10-23
作者:
森岡 達也
;
石田 真也
;
花岡 大介
;
種谷 元隆
;
藤田 茂夫
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提交时间:2019/12/31
窒化物系III-V族化合物半導体装置およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP3700872B2, 申请日期: 2005-07-22, 公开日期: 2005-09-28
作者:
花岡 大介
;
古川 勝紀
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提交时间:2019/12/24
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1999017272A, 申请日期: 1999-01-22, 公开日期: 1999-01-22
作者:
幡 俊雄
;
菅原 聰
;
花岡 大介
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提交时间:2020/01/18
電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1998335749A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
作者:
幡 俊雄
;
菅原 聰
;
花岡 大介
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提交时间:2019/12/31