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机构
西安光学精密机械研... [29]
微电子研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [30]
内容类型
专利 [29]
期刊论文 [1]
发表日期
2019 [1]
2018 [1]
2013 [1]
2011 [1]
2010 [2]
2009 [1]
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半导体激光装置
专利
OAI收割
专利号: CN106104948B, 申请日期: 2019-05-10, 公开日期: 2019-05-10
作者:
郑宇进
;
菅博文
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提交时间:2019/12/24
C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga2O3
期刊论文
OAI收割
AIP Advances, 2018
作者:
Xue HW(薛惠文)
;
Dong H(董航)
;
Mu WX(穆文祥)
;
Hu Y(胡媛)
;
He QM(何启鸣)
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提交时间:2019/04/18
半导体激光装置
专利
OAI收割
专利号: CN103155310A, 申请日期: 2013-06-12, 公开日期: 2013-06-12
作者:
影山进人
;
宫岛博文
;
菅博文
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提交时间:2020/01/13
硅发光元件
专利
OAI收割
专利号: CN102210029A, 申请日期: 2011-10-05, 公开日期: 2011-10-05
作者:
楚树成
;
菅博文
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提交时间:2020/01/18
散热器和具有它的激光器装置以及激光器堆栈装置
专利
OAI收割
专利号: CN101164163B, 申请日期: 2010-04-07, 公开日期: 2010-04-07
作者:
宫岛博文
;
菅博文
;
渡边信雄
;
大石谕
;
铃木伸孝
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提交时间:2019/12/26
散热器和具有它的激光器装置以及激光器堆栈装置
专利
OAI收割
专利号: CN101164163B, 申请日期: 2010-04-07, 公开日期: 2010-04-07
作者:
宫岛博文
;
菅博文
;
渡边信雄
;
大石谕
;
铃木伸孝
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提交时间:2019/12/26
半导体激光装置
专利
OAI收割
专利号: CN100502178C, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 2009-06-17
作者:
宫岛博文
;
菅博文
;
山中正宣
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提交时间:2020/01/18
聚光装置
专利
OAI收割
专利号: CN100406959C, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2008-07-30
作者:
郑宇进
;
宫岛博文
;
菅博文
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提交时间:2019/12/24
レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP4153130B2, 申请日期: 2008-07-11, 公开日期: 2008-09-17
作者:
宮島 博文
;
菅 博文
;
山口 十六夫
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提交时间:2019/12/23
半导体激光元件及半导体激光元件阵列
专利
OAI收割
专利号: CN101019284A, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2007-08-15
作者:
王浟
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提交时间:2019/12/31