中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共30条,第1-10条 帮助

条数/页: 排序方式:
半导体激光装置 专利  OAI收割
专利号: CN106104948B, 申请日期: 2019-05-10, 公开日期: 2019-05-10
作者:  
郑宇进;  菅博文
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/24
C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga2O3 期刊论文  OAI收割
AIP Advances, 2018
作者:  
Xue HW(薛惠文);  Dong H(董航);  Mu WX(穆文祥);  Hu Y(胡媛);  He QM(何启鸣)
  |  收藏  |  浏览/下载:58/0  |  提交时间:2019/04/18
半导体激光装置 专利  OAI收割
专利号: CN103155310A, 申请日期: 2013-06-12, 公开日期: 2013-06-12
作者:  
影山进人;  宫岛博文;  菅博文
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13
硅发光元件 专利  OAI收割
专利号: CN102210029A, 申请日期: 2011-10-05, 公开日期: 2011-10-05
作者:  
楚树成;  菅博文
  |  收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2020/01/18
散热器和具有它的激光器装置以及激光器堆栈装置 专利  OAI收割
专利号: CN101164163B, 申请日期: 2010-04-07, 公开日期: 2010-04-07
作者:  
宫岛博文;  菅博文;  渡边信雄;  大石谕;  铃木伸孝
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/26
散热器和具有它的激光器装置以及激光器堆栈装置 专利  OAI收割
专利号: CN101164163B, 申请日期: 2010-04-07, 公开日期: 2010-04-07
作者:  
宫岛博文;  菅博文;  渡边信雄;  大石谕;  铃木伸孝
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/26
半导体激光装置 专利  OAI收割
专利号: CN100502178C, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 2009-06-17
作者:  
宫岛博文;  菅博文;  山中正宣
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18
聚光装置 专利  OAI收割
专利号: CN100406959C, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2008-07-30
作者:  
郑宇进;  宫岛博文;  菅博文
  |  收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/12/24
レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP4153130B2, 申请日期: 2008-07-11, 公开日期: 2008-09-17
作者:  
宮島 博文;  菅 博文;  山口 十六夫
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/23
半导体激光元件及半导体激光元件阵列 专利  OAI收割
专利号: CN101019284A, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2007-08-15
作者:  
王浟;  宫岛博文;  渡边明佳;  菅博文
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/31