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半导体研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2003 [2]
2001 [1]
2000 [1]
1991 [1]
学科主题
微电子学 [3]
半导体化学 [1]
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2003, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 319-322
作者:
宁瑾
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提交时间:2010/11/23
Fabrication of Silicon Condenser Microphone Using Oxidized Porous Silicon as Sacrificial Layer
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 449-453
作者:
Ning Jin
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
6H-SiC高压肖特基势垒二极管
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1052
作者:
徐萍
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提交时间:2010/11/23
InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 414
作者:
收藏
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提交时间:2010/11/23
一种新的非均匀减薄法-选择阳极氧化法
期刊论文
OAI收割
电子科学学刊, 1991, 卷号: 13, 期号: 2, 页码: 221
高凤升
;
龚秀英
;
葛永才
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提交时间:2010/11/23