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用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构 期刊论文  OAI收割
功能材料与器件学报, 2003, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 319-322
作者:  
宁瑾
收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2010/11/23
Fabrication of Silicon Condenser Microphone Using Oxidized Porous Silicon as Sacrificial Layer 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 449-453
作者:  
Ning Jin
收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2010/11/23
6H-SiC高压肖特基势垒二极管 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1052
作者:  
徐萍
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2010/11/23
InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 414
作者:  
收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2010/11/23
一种新的非均匀减薄法-选择阳极氧化法 期刊论文  OAI收割
电子科学学刊, 1991, 卷号: 13, 期号: 2, 页码: 221
高凤升; 龚秀英; 葛永才
收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2010/11/23