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机构
西安光学精密机械研究... [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
专利 [3]
发表日期
2013 [1]
2010 [1]
2008 [1]
学科主题
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共3条,第1-3条
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氮化物半导体结构及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN101958375B, 申请日期: 2013-01-02, 公开日期: 2013-01-02
作者:
郭义德
;
林素芳
;
郭威宏
;
刘柏均
;
纪东炜
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提交时间:2019/12/26
三族氮化物垂直柱阵列衬底
专利
OAI收割
专利号: CN101093867B, 申请日期: 2010-12-08, 公开日期: 2010-12-08
作者:
赖志铭
;
刘文岳
;
蔡政达
;
许荣宗
;
果尚志
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提交时间:2019/12/26
氮化物半导体基板及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN101150053A, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2008-03-26
作者:
赖志铭
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提交时间:2020/01/18