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氮化物半导体结构及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101958375B, 申请日期: 2013-01-02, 公开日期: 2013-01-02
作者:  
郭义德;  林素芳;  郭威宏;  刘柏均;  纪东炜
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/26
三族氮化物垂直柱阵列衬底 专利  OAI收割
专利号: CN101093867B, 申请日期: 2010-12-08, 公开日期: 2010-12-08
作者:  
赖志铭;  刘文岳;  蔡政达;  许荣宗;  果尚志
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/26
氮化物半导体基板及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101150053A, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2008-03-26
作者:  
赖志铭
  |  收藏  |  浏览/下载:42/0  |  提交时间:2020/01/18