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机构
西安光学精密机械研... [30]
采集方式
OAI收割 [30]
内容类型
专利 [30]
发表日期
2018 [3]
2017 [2]
2016 [1]
2015 [1]
2013 [1]
2012 [2]
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レーザ装置および内燃機関
专利
OAI收割
专利号: JP2018157191A, 申请日期: 2018-10-04, 公开日期: 2018-10-04
作者:
萩田 健太郎
;
軸谷 直人
;
廣居 正樹
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提交时间:2020/01/13
レーザ装置、点火装置および内燃機関
专利
OAI收割
专利号: JP2018152539A, 申请日期: 2018-09-27, 公开日期: 2018-09-27
作者:
泉谷 一磨
;
萩田 健太郎
;
東 康弘
;
軸谷 直人
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提交时间:2019/12/31
レーザ装置および内燃機関
专利
OAI收割
专利号: JP2018152549A, 申请日期: 2018-09-27, 公开日期: 2018-09-27
作者:
萩田 健太郎
;
石川 陽一
;
軸谷 直人
;
池應 敏行
;
佐々木 譲
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提交时间:2019/12/31
レーザ光発生装置及びレーザ点火装置
专利
OAI收割
专利号: JP2017220630A, 申请日期: 2017-12-14, 公开日期: 2017-12-14
作者:
泉谷 一磨
;
鈴土 剛
;
萩田 健太郎
;
池應 敏行
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提交时间:2019/12/31
光学窓部材、レーザ装置、点火装置及び内燃機関
专利
OAI收割
专利号: JP2017111278A, 申请日期: 2017-06-22, 公开日期: 2017-06-22
作者:
大倉 佑介
;
萩田 健太郎
;
鈴土 剛
;
軸谷 直人
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提交时间:2019/12/31
レーザ装置、点火装置及び内燃機関
专利
OAI收割
专利号: JP2016072610A, 申请日期: 2016-05-09, 公开日期: 2016-05-09
作者:
萩田 健太郎
;
鈴土 剛
;
東 康弘
;
軸谷 直人
;
沼田 雅之
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提交时间:2019/12/31
半导体激光元件以及使用该半导体激光元件的近场光射出装置
专利
OAI收割
专利号: CN104854766A, 申请日期: 2015-08-19, 公开日期: 2015-08-19
作者:
谷健太郎
;
川上俊之
;
有吉章
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提交时间:2020/01/18
氮化物半导体激光器及晶片
专利
OAI收割
专利号: CN101938085B, 申请日期: 2013-01-16, 公开日期: 2013-01-16
作者:
谷健太郎
;
谷善彦
;
川上俊之
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提交时间:2019/12/24
氮化物半导体激光器芯片及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN101471536B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-06-06
作者:
川上俊之
;
神川刚
;
谷健太郎
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提交时间:2019/12/26
氮化物半导体激光器芯片及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN101471536B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-06-06
作者:
川上俊之
;
神川刚
;
谷健太郎
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提交时间:2019/12/26