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半导体结构及其制备方法
专利
OAI收割
申请日期: 2018-07-03,
作者:
陈俊霞,边历峰,陆书龙
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提交时间:2019/04/01
GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结级联太阳电池及其制作方法
专利
OAI收割
申请日期: 2018-04-24,
作者:
陈俊霞,任昕,边历峰,陆书龙,贾少鹏,王青松,王鑫
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提交时间:2019/04/01
全光单片集成光电器件及其制作方法
专利
OAI收割
申请日期: 2018-01-09,
作者:
任昕,陆书龙,边历峰
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提交时间:2019/04/01
Electron irradiation study of room-temperature wafer-bonded four junction solar cell grown by MBE
期刊论文
OAI收割
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2017, 卷号: 171, 期号: 11, 页码: 118-122
作者:
Dai, P (Dai, Pan)
;
Ji, L (Ji, Lian)
;
Tan, M (Tan, Ming)
;
Uchida, S (Uchida, Shiro)
;
Wu, YY (Wu, Yuanyuan)
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提交时间:2017/11/30
Electron Irradiation
Four-junction Solar Cell
Molecular Beam Epitaxy
Electron irradiation study of room-temperature wafer-bonded four junction solar cell grown by MBE
期刊论文
OAI收割
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2017
作者:
Dai, Pan(代盼)
;
Ji, Lian(季莲)
;
Tan, Ming(谭明)
;
Uchida, Shiro
;
Wu, Yuanyuan(吴源源)
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提交时间:2018/02/05
Transparent conducting indium-tin-oxide (ITO) film as full front electrode in III-V compound solar cell
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2017
作者:
Dai, Pan(代盼)
;
Lu, Jianya
;
Tan, Ming(谭明)
;
Wang, Qingsong(王青松)
;
Wu, Yuanyuan(吴渊渊)
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提交时间:2018/02/06
The striking influence of rapid thermal annealing on InGaAsP grown by MBE: material and photovoltaic device
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017
作者:
Ji, Lian(季莲)
;
Tan, Ming(谭明)
;
Ding, Chao
;
Honda, Kazuki
;
Harasawa, Ryo
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提交时间:2018/02/06
一种碳纳米管连续生长装置
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN104418317B, 申请日期: 2016-09-07,
作者:
任昕
;
边历峰
;
朱建军
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提交时间:2017/03/13
碳纳米管连续生长装置
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN104418318B, 申请日期: 2016-09-07,
作者:
任昕
;
边历峰
;
朱建军
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2017/03/13
一种温度连续可调的喷淋头
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN103305809B, 申请日期: 2016-08-10,
作者:
阮孟财
;
朱建军
;
边历峰
;
任昕
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提交时间:2017/03/13