机构

• 近代物理研究所 [14]
• 新疆理化技术研究所 [12]
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• 地球化学研究所 [4]
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• 更多

采集方式

• OAI收割 [59]

内容类型

• 期刊论文 [41]
• 专利 [12]
• 会议论文 [4]
• 学位论文 [2]

发表日期

• 2022 [2]
• 2021 [2]
• 2020 [3]
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• 2015 [12]
• 更多

学科主题

• Multidisci... [1]
• 矿床地球化学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共59条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Self-Immolated Nanoadjuvant for In Situ Vaccination Immunotherapy of Colorectal Cancer 期刊论文  OAI收割 ADVANCED HEALTHCARE MATERIALS, 2023, 页码: 13 作者:  Wang, Weiqi;  Zhu, Qiwen;  Jin, Yilan;  Gao, Jing;  Li, Jianan   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2023/10/17 antigen presentation  immunogenic cell death  nanoadjuvant  photodynamic therapy  vaccination immunotherapy   Engineered bioorthogonal POLY-PROTAC nanoparticles for tumour-specific protein degradation and precise cancer therapy 期刊论文  OAI收割 NATURE COMMUNICATIONS, 2022, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 14 作者:  Gao, Jing;  Hou, Bo;  Zhu, Qiwen;  Yang, Lei;  Jiang, Xingyu   |  收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2022/08/30 1/f Noise responses of Ultra-Thin Body and Buried oxide FD-SOI PMOSFETs under total ionizing dose irradiation 期刊论文  OAI收割 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2022, 卷号: 176, 期号: 11-12, 页码: 1202-1214 作者:  Zhang, RQ (Zhang, Ruiqin) [1] , [2] , [3];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1] , [2];  Lu, W (Lu, Wu) [1] , [2];  Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1] , [2];  Li, YD (Li, Yudong) [1] , [2]   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2022/04/07 Total ionizing dose irradiation  UTBB FD-SOI  1  f noise   Impact of TID on Within-Wafer Variability of Radiation-Hardened SOI Wafers 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: 1423-1429 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1;  Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1;  Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1;  Li, YD (Li, Yudong) 1;  Lu, W (Lu, Wu) 1   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2021/08/06 Radiation-hardened (RH)silicon-on-insulator (SOI)total ionizing dose (TID)within-wafer variability   Measurement and Evaluation of the Within-Wafer TID Response Variability on BOX Layer of SOI Technology 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 10, 页码: 2516-2523 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1;  Li, YD (Li, Yudong) 1;  Lu, W (Lu, Wu) 1;  He, CF (He, Chengfa) 1;  Guo, Q (Guo, Qi) 1   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2021/12/06 Threshold voltage  TestingMOSFET circuits  Transistors  Standards  Logic gates  Fluctuations  Buried oxide (BOX)  silicon-on-insulator (SOI)  total ionizing dose (TID)   Study of the influence of gamma irradiation on long-term reliability of SiC MOSFET 期刊论文  OAI收割 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 559-566 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/12/11 SiC MOSFET  total ionizing dose irradiation  time-dependent dielectric breakdown   Progressive nitrogen limitation across the Tibetan alpine permafrost region 期刊论文  OAI收割 NATURE COMMUNICATIONS, 2020, 卷号: 11, 期号: 1 作者:  Kou, Dan;  Yang, Guibiao;  Li, Fei;  Feng, Xuehui;  Zhang, Dianye   |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2022/03/01 Prospects for a multi-TeV gamma-ray sky survey with the LHAASO water Cherenkov detector array 期刊论文  OAI收割 中国物理C:英文版, 2020, 卷号: 44.0, 期号: 006, 页码: 123 作者:  FAharonian;  VAlekseenko;  An Q(安琪);  Axikegu;  Bai LX(白立新)   |  收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2021/12/06 TeVγ-ray  astronomy  observational  prospect  LHAASO-WCDA   Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 892-898 作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie   |  收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2019/11/10 Single-event multiple-cell upsets (MCUs)  static random access memory  total ionizing dose (TID)   Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ];  Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ];  Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ]   |  收藏  |  浏览/下载：118/0  |  提交时间：2019/05/14 Back-gate biasing  forward body bias (FBB)  total ionizing dose (TID)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator (UTBB FD-SOI)