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机构
上海微系统与信息技术... [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [3]
专利 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2006 [5]
学科主题
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共5条,第1-5条
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一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN1838384, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2006-09-27
王笑龙
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于广辉
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隋妍萍
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雷本亮
;
齐鸣
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李爱珍
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提交时间:2012/01/06
Ⅲ/Ⅴ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响
期刊论文
OAI收割
光电子·激光, 2006, 期号: 08
隋妍萍
;
于广辉
;
俞谦荣
;
齐鸣
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2012/01/06
高g加速度传感器
压膜阻尼
曲面过载保护
冲击响应
射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2006, 期号: 06
隋妍萍
;
于广辉
;
孟胜
;
雷本亮
;
王笑龙
;
王新中
;
齐鸣
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2012/01/06
锂离子电池组
非耗散型均衡
耗散型均衡
均衡电路
纳米孔氮化镓材料的制备和研究
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2006, 期号: 04
王笑龙
;
于广辉
;
雷本亮
;
隋妍萍
;
孟胜
;
齐鸣
;
李爱珍
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提交时间:2012/01/06
共面波导
传输线
绝缘体上硅
地屏蔽
GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其掺杂特性研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2006
隋妍萍
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提交时间:2012/03/06
GaN
射频等离子体分子束外延
III/V比
Mg掺杂
光致发光