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一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN1838384, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2006-09-27
王笑龙; 于广辉; 隋妍萍; 雷本亮; 齐鸣; 李爱珍
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Ⅲ/Ⅴ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响 期刊论文  OAI收割
光电子·激光, 2006, 期号: 08
隋妍萍; 于广辉; 俞谦荣; 齐鸣
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射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光 期刊论文  OAI收割
发光学报, 2006, 期号: 06
隋妍萍; 于广辉; 孟胜; 雷本亮; 王笑龙; 王新中; 齐鸣
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纳米孔氮化镓材料的制备和研究 期刊论文  OAI收割
功能材料与器件学报, 2006, 期号: 04
王笑龙; 于广辉; 雷本亮; 隋妍萍; 孟胜; 齐鸣; 李爱珍
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GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其掺杂特性研究 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  , 2006
隋妍萍  
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