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III族窒化物半導体素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2009059740A, 申请日期: 2009-03-19, 公开日期: 2009-03-19
作者:  難波江 宏一
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II-VI族化合物半導体ヘテロ接合素子 专利  OAI收割
专利号: JP1999112031A, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-04-23
作者:  岩田 普;  難波江 宏一
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31
II-VI族化合物半導体およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998107045A, 申请日期: 1998-04-24, 公开日期: 1998-04-24
作者:  難波江 宏一
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/30