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Fabrication and characterization of normally-off AlGaNGaN HEMTs 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  Aqdas Fariza
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Ridge-channel AlGaN/GaN normally-off high-electron mobility transistor based on epitaxial lateral overgrowth 期刊论文  OAI收割
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 7, 页码: 75003
作者:  Ji, Xiaoli;   Fariza, Aqdas;   Zhao, Jie;   Wang, Maojun;   Wang, Junxi;   Yang, Fuhua;   Li, Jinmin;   Wei, Tongbo
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2022/07/26
Role of energy-band offset in photo-electrochemical etching mechanism of p-GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 129, 期号: 16, 页码: 165701
作者:  Fariza, Aqdas;   Ji, Xiaoli;   Gao, Yaqi;   Ran, Junxue;   Wang, Junxi;   Wei, Tongbo
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2022/07/26