机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 1994 [1]
• 1993 [1]
• 1992 [2]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1994, 卷号: 76, 期号: 11, 页码: 7410-7414 ZHU QS; HIRAMATSU K; SAWAKI N; AKASAKI I; LIU XN 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/15 SEMICONDUCTORS  DEFECTS  VACANCY  SILICON  LEVEL  LPE   FIELD-EFFECT ON THERMAL EMISSION FROM THE 0.40 EV ELECTRON LEVEL IN INGAP 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1993, 卷号: 73, 期号: 2, 页码: 771-774 ZHU QS; HIRAMATSU K; SAWAKI N; AKASAKI I; LIU XN 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 LIQUID-PHASE EPITAXY  100 GAAS  TRANSIENT SPECTROSCOPY  OPTICAL-PROPERTIES  SEMICONDUCTORS  SILICON  VACANCY  DEFECTS  TRAPS   OXYGEN IN INXGA1-XASYP1-Y GROWN ON GAAS 期刊论文  OAI收割 physica status solidi b-basic research, 1992, 卷号: 172, 期号: 2, 页码: 647-653 ZHU QS; HIRAMATSU K; SAWAKI N; AKASAKI I 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/15 100 GAAS  SEMICONDUCTORS  INGAP   HIGH-RESOLUTION DLTS AND ITS APPLICATION TO LATTICE-MISMATCH-INDUCED DEEP LEVELS IN INGAP 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 1992, 卷号: 7, 期号: 12, 页码: 1441-1445 ZHU QS; AKASAKI I 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/15 TRANSIENT SPECTROSCOPY  SEMICONDUCTORS