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中国科学院大学 [1]
古脊椎动物与古人类研... [1]
采集方式
OAI收割 [6]
iSwitch采集 [2]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2024 [1]
2013 [2]
2011 [4]
2007 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
Cell Biolo... [1]
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iMeta
Conference 2024: Building an innovative scientific research ecosystem for microbiome and One Health
期刊论文
OAI收割
IMETA, 2024, 卷号: 3, 期号: 6, 页码: 19
作者:
Wang, Yao
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提交时间:2025/07/21
Crystal structure of L,D-transpeptidase Ldt(Mt2) in complex with meropenem reveals the mechanism of carbapenem against Mycobacterium tuberculosis
期刊论文
OAI收割
CELL RESEARCH, 2013, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 728-731
Li, WenJuan
;
Li, Defeng
;
李德峰
;
Hu, Yonglin
;
胡永林
;
Zhang, Xianen
;
张先恩
;
Bi, Lijun
;
毕利军
;
Wang, Dacheng
;
王大成
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提交时间:2013/12/24
High performance AlGaNGaN power switch with Si3N4 Insulation
期刊论文
OAI收割
the european physical journal applied physics, 2013, 卷号: 61, 期号: 1, 页码: 10101
Lin, Defeng
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Kang, He
;
Wang, Cuimei
;
Jiang, Lijuan
;
Feng, Chun
;
Chen, Hong
;
Deng, Qingwen
;
Bi, Yang
;
Zhang, Jingwen
;
Hou, Xun
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提交时间:2014/03/18
The influence of the 1st aln and the 2nd gan layers on properties of algan/2nd aln/2nd gan/1st aln/1st gan structure
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
作者:
Bi, Yang
;
Wang, XiaoLiang
;
Yang, CuiBai
;
Xiao, HongLing
;
Wang, CuiMei
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提交时间:2019/05/12
The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
作者:
Bi, Yang
;
Wang, XiaoLiang
;
Yang, CuiBai
;
Xiao, HongLing
;
Wang, CuiMei
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2021/02/02
The influence of the1st AlN and the2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure
期刊论文
OAI收割
applied physics a: materials science and processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
Bi, Yang
;
Wang, XiaoLiang
;
Yang, CuiBai
;
Xiao, HongLing
;
Wang, CuiMei
;
Peng, EnChao
;
Lin, DeFeng
;
Feng, Chun
;
Jiang, LiJuan,
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提交时间:2012/06/14
Poisson equation
Simulation of electrical properties of InxAl1- XN/AlN/GaN high electron mobility transistor structure
期刊论文
OAI收割
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 83003
Bi, Yang
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Yang, Cuibai
;
Peng, Enchao
;
Lin, Defeng
;
Feng, Chun
;
Jiang, Lijuan,
收藏
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提交时间:2012/06/14
Aluminum
Electron mobility
Gallium nitride
High electron mobility transistors
Indium
Poisson equation
Polarization
Two dimensional electron gas
Lighting object-based nondoped-type white organic light-emitting diode with n,n'-diphenyl-n,n'-bis(1-naphthyl)-(1,1'-benzidine)-4,4'-diamine as the chromaticity-tuning layer
期刊论文
iSwitch采集
Optics letters, 2007, 卷号: 32, 期号: 24, 页码: 3537-3539
作者:
Zhu, Jianzhuo
;
Li, Wenlian
;
Su, Zisheng
;
Chu, Bei
;
Han, Liangliang
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提交时间:2019/05/10