机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• iSwitch采集 [2]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2008 [1]
• 2007 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 The influence of schottky contact metals on the strain of algan barrier layers 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 4, 页码: 4 作者:  Lin, Zhaojun;  Zhao, Jianzhi;  Corrigan, Timothy D.;  Wang, Zhen;  You, Zhidong 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2019/05/12 Electron mobility related to scattering caused by the strain variation of algan barrier layer in strained algan/gan heterostructures 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 17, 页码: 3 作者:  Zhao, Jianzhi;  Lin, Zhaojun;  Corrigan, Timothy D.;  Wang, Zhen;  You, Zhidong 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Electron mobility related to scattering caused by the strain variation of AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 17, 页码: art.no.173507 Zhao J (Zhao, Jianzhi); Lin Z (Lin, Zhaojun); Corrigan TD (Corrigan, Timothy D.); Wang Z (Wang, Zhen); You Z (You, Zhidong); Wang Z (Wang, Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2010/03/29 FIELD-EFFECT TRANSISTORS