机构

• 苏州纳米技术与纳米仿... [3]

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• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2018 [2]
• 2017 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High f(T) AlGa(In)N/GaN HEMTs Grown on Si With a Low Gate Leakage and a High ON/OFF Current Ratio 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018 作者:  Zhu, Guangrun;  Gao, Hongwei(高宏伟);  Sun, Qian(孙钱);  Chen, Tangsheng;  Yang, Hui(杨辉)   |  收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2019/03/27 Unintentional incorporation of Ga in the nominal AlN spacer of AlInGaN/AlN/GaN Heterostructure 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018 作者:  Dai, Shujun(戴淑君);  Gao, Hongwei(高宏伟);  Zhou, Yu(周宇);  Zhong, Yaozong;  Wang, Jin   |  收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2019/03/27 Self-terminated etching of GaN with a high selectivity over AlGaN under inductively coupled Cl-2/N-2/O-2 plasma with a low-energy ion bombardment 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017 作者:  Zhong, Yaozong;  Yu Zhou;  Gao, Hongwei（高宏伟）;  Dai, Shujun（戴淑君）;  He, Junlei（何俊蕾）   |  收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2018/02/06