机构

• 上海微系统与信息技术... [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 1994 [1]
• 1993 [1]
• 1992 [1]
• 1990 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 COMPARATIVE INVESTIGATION OF DAMAGE-INDUCED BY DIATOMIC AND MONOATOMIC ION-IMPLANTATION IN SILICON 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1994, 卷号: 85, 期号: 1-4, 页码: 524-527 LOHNER,T; TOTH,Z; FRIED,M; KHANH,NQ; YANG,GQ; LU,LC; Zou,SC; HANEKAMP,LJ; VANSILFHOUT,A; GYULAI,J 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/25 DAMAGE ENHANCEMENT EFFECT IN SILICON IMPLANTED WITH MOLECULAR-IONS 期刊论文  OAI收割 SCIENCE IN CHINA SERIES A-MATHEMATICS PHYSICS ASTRONOMY, 1993, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 235-242 LIN,CL; YANG,GQ; FANG,ZW; LI,XQ; Zou,SC(邹世昌）; GYULAI,J; ELLIMAN,RG 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/25 DENSITY  SPIKES   硅中分子离子注入的损伤增强效应 期刊论文  OAI收割 中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学), 1992, 期号: 07 林成鲁; 杨根庆; 方子韦; 李晓勤; 邹世昌; J.Gyulai; R.G.Elliman 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/29 DAMAGE ANNEALING BEHAVIOR IN DIATOMIC PHOSPHORUS ION-IMPLANTED SILICON 期刊论文  OAI收割 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 1990, 卷号: 115, 期号: 1-3, 页码: 183-192 YANG, GQ; KHANH, NQ; FRIED, M; KOTAI, E; SCHILLER, V; LU, LC; GYULAI, J; ZOU, SH 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/25 BOMBARDMENT  SI  GE