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机构
半导体研究所 [4]
采集方式
iSwitch采集 [2]
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2004 [2]
2003 [2]
学科主题
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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条数/页:
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Photoluminescence characteristics of gaassbn/gaas epilayers lattice-matched to gaas substrates
期刊论文
iSwitch采集
Solid state communications, 2004, 卷号: 132, 期号: 10, 页码: 707-711
作者:
Bian, LF
;
Jiang, DS
;
Tan, PH
;
Lu, SL
;
Sun, BQ
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/05/12
Gaassbn epilayer
Pl spectra
Rta
Photoluminescence characteristics of GaAsSbN/GaAs epilayers lattice-matched to GaAs substrates
期刊论文
OAI收割
solid state communications, 2004, 卷号: 132, 期号: 10, 页码: 707-711
作者:
Tan PH
;
Jiang DS
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浏览/下载:164/55
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提交时间:2010/03/09
GaAsSbN epilayer
The effect of inserting strain-compensated ganas layers on the luminescence properties of gainnas/gaas quantum well
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 339-344
作者:
Bian, LF
;
Jiang, DS
;
Lu, SL
;
Huang, JS
;
Chang, K
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum wells
Gainnas
Strain-compensated ganas layers
The effect of inserting strain-compensated GaNAs layers on the luminescence properties of GaInNAs/GaAs quantum well
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 339-344
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2010/08/12
quantum wells
GaInNAs
strain-compensated GaNAs layers
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHOTOLUMINESCENCE
LASERS
THRESHOLD