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Contact architectures for tunnel junction devices 专利  OAI收割
专利号: WO2018035322A1, 申请日期: 2018-02-22, 公开日期: 2018-02-22
作者:  YONKEE, BENJAMIN P.;  YOUNG, ERIN C.
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METHOD FOR DEPOSITION OF (Al,In,Ga,B)N 专利  OAI收割
专利号: US20080251802A1, 公开日期: 2008-10-16
作者:  IZA, MICHAEL;  DENBAARS, STEVEN P.;  NAKAMURA, SHUJI
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(al,in,ga,b)n device structures on a patterned substrate 专利  OAI收割
专利号: WO2009039402A1, 公开日期: 2009-03-26
作者:  IZA, MICHAEL;  SATO, HITOSHI;  HWANG, EU JIN;  DENBAARS, STEVEN P.;  NAKAMURA, SHUJI
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