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Laser diode with improved heat dissipation 专利  OAI收割
专利号: US20090219966A1, 申请日期: 2009-09-03, 公开日期: 2009-09-03
作者:  TAN, WEI-SIN;  BARNES, JENNIFER MARY
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MBE growth of an algan layer or AlGaN multilayer structure 专利  OAI收割
专利号: US7504321, 申请日期: 2009-03-17, 公开日期: 2009-03-17
作者:  BOUSQUET, VALERIE;  HOOPER, STEWART EDWARD;  BARNES, JENNIFER MARY;  JOHNSON, KATHERINE L.;  HEFFERNAN, JONATHAN
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24
Vcsel 专利  OAI收割
专利号: GB2407434A, 申请日期: 2005-04-27, 公开日期: 2005-04-27
作者:  VICTORIA, BROADLEY;  JENNIFER, MARY, BARNES
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