机构

• 半导体研究所 [4]
• 兰州化学物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2021 [1]
• 2012 [4]

学科主题

• 光电子学 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Improving the tribological and anti-corrosion property of the WS2 film through Ta doping 期刊论文  OAI收割 Vacuum, 2021, 期号: 192, 页码: 110485 作者:  Yang J （杨军）;  Wang D.S （王德生）;  Fu Y.L （伏彦龙）;  Wang Q.Q （王琴琴）;  Hu M. （胡明）   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/11/18 Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 25, 页码: 252110 Le, L.C; Zhao, D.G; Jiang, D.S; Zhang, S.M; Yang, H; Li, L; Wu, L.L; Chen, P; Liu, Z.S; Li, Z.C; Fan, Y.M; Zhu, J.J; Wang, H 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/04/19 Effect of dual buffer layer structure on the epitaxial growth of AlN on sapphire 期刊论文  OAI收割 journal of alloys and compounds, 2012, 卷号: 544, 页码: 94-98 Zhao, D.G; Jiang, D.S; Wu, L.L; Le, L.C; Li, L; Chen, P; Liu, Z.S; Zhu, J.J; Wang, H; Zhang, S.M; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/05/07 Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 25, 页码: 252110 Le, L.C; Zhao, D.G; Jiang, D.S; Zhang, S.M; Yang, H; Li, L; Wu, L.L; Chen, P; Liu, Z.S; Li, Z.C; Fan, Y.M; Zhu, J.J; Wang, H 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/04/19 Photoluminescence and Raman studies on Ge-based complexes in Si-doped GaInP epilayers grown on Germanium 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, Journal of Applied Physics, 2012, 2012, 卷号: 112, 112, 期号: 2, 页码: 023509, 023509 作者:  He, W;  Lu, S.L;  Jiang, D.S;  Dong, J.R;  Tackeuchi, A   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/05/07