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Group-III nitride semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US8908732, 申请日期: 2014-12-09, 公开日期: 2014-12-09
作者:  UENO, MASAKI;  KATAYAMA, KOJI;  IKEGAMI, TAKATOSHI;  NAKAMURA, TAKAO;  YANASHIMA, KATSUNORI
  |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/26
Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US8594145, 申请日期: 2013-11-26, 公开日期: 2013-11-26
作者:  TAKAGI, SHIMPEI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  KATAYAMA, KOJI;  UENO, MASAKI;  IKEGAMI, TAKATOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/13
Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US7933303, 申请日期: 2011-04-26, 公开日期: 2011-04-26
作者:  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI;  KYONO, TAKASHI;  ADACHI, MASAHIRO;  AKITA, KATSUSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/24