中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助

条数/页： 排序方式：
Method to achieve active p-type layer/layers in iii-nitride epitaxial or device structures having buried p-type layers 专利  OAI收割
专利号: WO2017180633A1, 公开日期: 2017-10-19
作者:  ENATSU, YUUKI;  GUPTA, CHIRAG;  KELLER, STACIA;  MISHRA, UMESH K.;  AGARWAL, ANCHAL
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26
Maskless lateral epitaxial overgrowth of aluminum nitride and high aluminum composition aluminum gallium nitride 专利  OAI收割
专利号: WO2005041269A3, 公开日期: 2006-03-30
作者:  KATONA THOMAS M;  KELLER STACIA;  ALEJANDRO PABLO CANTU
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/26
Semiconductor devices based on coalesced nano-rod arrays 专利  OAI收割
专利号: US20060223211A1, 公开日期: 2006-10-05
作者:  MISHRA, UMESH KUMAR;  KELLER, STACIA
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26