机构

• 高能物理研究所 [4]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2013 [1]
• 2012 [1]
• 2009 [2]
• 1996 [1]

学科主题

• Instrument... [2]
• Chemistry;... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Positron annihilation Doppler broadening study of Xe-implanted aluminum 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2013, 卷号: 282, 页码: 724-728 作者:  Yu RS(于润升);  Yu, RS;  Maekawa, M;  Kawasuso, A;  Wang, BY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/04/08 Positron annihilation  Doppler broadening  Vacancy  Xenon   Positron annihilation study of 4H-SiC by Ge+ implantation and subsequent thermal annealing 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 270, 页码: 47-49 作者:  Yu RS(于润升);  Yu, RS;  Maekawa, M;  Kawasuso, A;  Wang, BY 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/04/08 Positron annihilation  Defects  4H-SiC   Ferromagnetism and microstructure in Fe+-implanted ZnO 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 卷号: 255, 期号: 23, 页码: 9371 Wang, D; Chen, Q; Zhou, F; Lu, W; Maekawa, M; Kawasuso, A 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2013/09/17 DOPED ZNO  THIN-FILMS  OPTICAL-PROPERTIES  ZINC-OXIDE  BULK   Microstructure evolution of Ge+ implanted silicon oxide thin films upon annealing treatments 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2009, 卷号: 267, 期号: 18, 页码: 3097-3099 作者:  Yu RS(于润升);  Wang BY(王宝义);  Qin XB(秦秀波);  Wang QZ(王巧占);  Yu, RS 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2016/06/29 Positron annihilation  Positronium  Nanocrystal  Silicon oxides   Design Studies for the Positron Factory 会议论文  OAI收割 proceedings of the 18th International Linear Accelerator Conference, Switzerland, 1996 作者:  S. Okada;  H. Sunaga;  H. Kaneko;  S. Masuno;  A. Kawasuso 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2016/10/09