中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
物理研究所 [4]
高能物理研究所 [1]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2011 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [1]
2002 [1]
1992 [1]
更多
学科主题
Physics [1]
光电子学 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Search for new phenomena with the monojet and missing transverse momentum signature using the ATLAS detector in root s=7 TeV proton-proton collisions
期刊论文
OAI收割
PHYSICS LETTERS B, 2011, 卷号: 705, 期号: 4, 页码: 294-312
作者:
Aad, G
;
Abbott, B
;
Abdallah, J
;
Abdelalim, AA
;
Abdesselam, A
收藏
  |  
浏览/下载:124/0
  |  
提交时间:2016/06/27
Size effects of the critical temperature in ferroelectric thin films
期刊论文
OAI收割
COMMUNICATIONS IN THEORETICAL PHYSICS, 2007, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 183
Hu, ZN
;
Lo, VC
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2013/09/24
Thickness dependence of the coercive field in ferroelectric thin films
期刊论文
OAI收割
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2006, 卷号: 20, 期号: 22, 页码: 3223
Hu, ZN
;
Lo, VC
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2013/09/23
BOUNDARY-CONDITIONS
DOMAIN-STRUCTURE
ULTRATHIN FILMS
NANOSCALE
SIZE
NUCLEATION
FATIGUE
STRESS
Chiral lipid bilayers with cylindrical symmetry
期刊论文
OAI收割
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2005, 卷号: 19, 期号: 18, 页码: 2999
Hu, ZN
;
Lo, VC
收藏
  |  
浏览/下载:70/0
  |  
提交时间:2013/09/17
INTRINSIC BENDING FORCE
TUBULE FORMATION
HELICAL RIBBONS
MEMBRANES
ORDER
PHOSPHATIDYLCHOLINE
MICROSTRUCTURES
CRYSTALLINE
DIFFRACTION
DEPENDENCE
Simulation of thickness dependent coercive field in PZT thin films
期刊论文
OAI收割
FERROELECTRICS, 2002, 卷号: 271, 页码: 1917
Lo, VC
;
Hu, ZN
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2013/09/24
PB(ZR
INVESTIGATION OF NEGATIVE TRANSIENT CURRENT OF ARGON-IMPLANTED GAAS USING PHOTOINDUCED TRANSIENT-CURRENT SPECTROSCOPY
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 1992, 卷号: 7, 期号: 5, 页码: 668-675
LO VC
;
CHAN PW
;
XU SD
;
WONG SP
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2010/11/15
SEMI-INSULATING GAAS
GALLIUM-ARSENIDE